長鑫存儲HBM3E量產在即，良率僅20%

據消息人士透露，中國最大DRAM製造商長鑫存儲（CXMT）計劃在兩個月內開始量產HBM3E晶片，但良率僅約20%至30%，遠低於競爭對手SK Hynix的約70%。此舉反映中國在美國出口限制下對AI記憶晶片的迫切需求。

長鑫存儲（CXMT）計劃在未來兩個月內開始量產HBM3E，這是一種用於人工智能處理器的高頻寬記憶晶片。兩名知情人士透露，該公司生產的晶片中僅約20%至30%符合規格，良率遠低於市場領導者南韓SK Hynix的約70%。

此舉凸顯中國在美國收緊出口限制下，對AI記憶晶片的嚴重短缺。長鑫存儲是中國最大的動態隨機存取記憶體（DRAM）製造商，已向多家國內AI晶片設計公司提供HBM3E樣品。

消息人士指出，長鑫存儲在低良率情況下仍推進量產，是因為中國AI晶片設計公司難以獲得足夠的先進記憶晶片以增加產量。低良率導致生產成本高昂，因為大部分晶片需報廢或重工。該公司HBM3E的價格預期將高於海外競爭對手。

在測試中，長鑫存儲的HBM3E性能更接近SK Hynix上一代的HBM3，而非其HBM3E。該公司已向客戶提供兩個版本：標準設計及旨在改善良率的更新版本。長鑫存儲在商業HBM生產上至少落後競爭對手一代。

美國於2024年12月收緊對特定先進HBM產品的出口限制。中國晶片製造商透過非官方渠道獲取記憶晶片，成本可能高出數倍。南韓三星於7月表示已擴大HBM4銷售並向主要客戶出貨HBM4E樣品。